GaN-On-SiCデバイスの世界市場、2032年には22.4億米ドル規模へ成長予測：最新調査レポート発表

GaN-On-SiCデバイス市場、2032年に22.4億米ドル規模へ拡大予測

株式会社マーケットリサーチセンターは、GaN-On-SiCデバイスの世界市場に関する新たな調査レポート「Global GaN-On-SiC Devices Market 2026-2032」を発表しました。このレポートは、2026年から2032年までのGaN-On-SiCデバイス市場の動向、規模、および予測を詳細に分析しています。

成長するGaN-On-SiCデバイス市場の概要

調査レポートによると、GaN-On-SiCデバイスの世界市場は、2025年の13億8500万米ドルから2032年には22億4000万米ドルに達すると予測されており、2026年から2032年にかけて年平均成長率（CAGR）7.0%で成長する見込みです。

GaN-On-SiCデバイスとは、窒化ガリウム（GaN）を炭化ケイ素（SiC）基板上に成長させた半導体デバイスを指します。GaNは高い電力密度能力と高周波性能を可能にし、SiCは優れた熱伝導率と低いRF損失を提供するため、この組み合わせは高出力密度RF性能を実現するための最適な技術と位置づけられています。これにより、高効率化とデバイスの小型化が実現され、特に高電力・高周波が求められるアプリケーションでの導入が進んでいます。

主要な用途と市場を牽引する要因

GaN-On-SiCデバイスの主な用途は、無線インフラ、衛星通信、航空宇宙・防衛（レーダー、電子戦、AESA送受信モジュール）です。これらの分野では、高出力、高効率、高信頼性が求められるため、GaN-On-SiCデバイスの採用が加速しています。

市場の成長を牽引する主な要因としては、防衛および衛星通信分野の拡大、5G/6Gといった高帯域幅RFアーキテクチャの進化によるより高い電力と直線性の要求が挙げられます。また、製造面では、コスト効率と規模拡大を目指し、従来の100mmウェーハから150mm（6インチ）ウェーハへの移行が進んでおり、将来的には200mmへの進展も期待されています。

レポートが提供する主な情報

本レポートでは、GaN-On-SiCデバイス市場について、以下の詳細な分析が提供されます。

市場規模と予測: 地域別、市場セクター（GaN HEMT、GaN MMIC）、ウェーハサイズ（6インチ、4インチ）、用途別（通信インフラ、軍事・防衛、衛星通信など）の売上高予測。
企業分析: 住友電気デバイス・イノベーションズ（SEDI）、MACOM、Qorvo、NXPなどの主要メーカーの製品ポートフォリオ、市場参入戦略、地理的展開、収益、市場シェアなど。
市場動向と課題: 市場の推進要因、成長機会、直面する課題とリスク、業界全体のトレンド。
製造コスト構造: 原材料、サプライヤー、製造プロセス、産業チェーン構造の分析。